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据界面新闻报道,由于AI需求强劲,HBM和DDR5的订单有望增加,三星电子和SK海力士加强对高价值DRAM产品的关注,正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加快向10纳米第四代(1a)和第五代(1b)版本的过渡,生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。
国元证券认为,2024年是Dram行业“三点共振”的交汇时点。三点共振指的是Dram行业经过了2年调整后,将在24年迎来大周期向上拐点,DDR5在全球Dram市场渗透率从23年的15%左右提升到50%-60%的关键时点,以及AI率先带动的AIPC需求,进而推动消费类Dram规格向服务器Dram规格靠拢的关键时间节点。
平安证券也表示,一方面,从行业角度看,根据TrendForce预测数据,不论是DRAM还是NANDFlash,2024年的整体存储合约均价有望呈现逐季上涨态势,同时通过观察以三星、SK海力士为代表的头部存储厂商近期业绩的环比改善变化,存储行业有望在2024年步入上行周期。
另一方面,随着高性能计算以及AI功能需求的快速增加,以及AIPC等AI硬件产品持续推出,为保证AI应用的流畅运行,存储的规格和容量均需进行配套升级,高端存储产品和技术将迎来渗透加速。
公司方面,德邦证券表示包括:
存储模组:江波龙(进军企业级&信创市场)、佰维存储(研发封测一体化)、朗科科技(韶关数据中心逐步落地)、德明利(NAND主控+模组)等;
存储芯片:兆易创新(NOR+DRAM龙头)、东芯股份、普冉股份等;
*免责声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议
上面就是小编为您带来除了HBM,两大存储龙头又有新动作,机构称行业今年迎来向上拐点的全部内容。
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