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据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13-18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15-20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。
其分析称,在中国台湾4月3日发生地震后,市场零星传出有PC OEM供应商出于特殊考量,接受高昂的DRAM及NAND Flash合约价涨幅,但仅是零星成交情况。至4月下旬,相关业者陆续完成新一轮合约价议价后,涨幅较原先预期扩大, 推动其同步上修第二季DRAM、NAND Flash合约价涨幅,除了反映买方欲支撑在手库存的价值,关键更包含供需两端对AI市场展望的考量。
据TrendForce预测,2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用,如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长,又以服务器领域成长幅度最高,服务器DRAM单机平均容量预估年增17.3%;企业级SSD则预估年增13.2%。
方正证券表示,梳理板块业绩情况可以看到,伴随本轮存储板块周期底部上行,相关公司业绩也出现显著修复。预计AI将带动HBM为代表的先进存储需求全面扩容。HBM供不应求,大厂持续扩产,AIPC、AIPhone的加速渗透也将带动闪存及内存用量的大幅增长,板块大级别拐点已至。
公司方面,德邦证券表示包括:
存储模组:江波龙(进军企业级&信创市场)、佰维存储(研发封测一体化)、朗科科技(韶关数据中心逐步落地)等。
存储芯片:兆易创新(NOR+DRAM龙头)、东芯股份、普冉股份等。
*免责声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议
上面就是小编为您带来下游厂商接受涨价,机构上修存储涨幅预期的全部内容。
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