长鑫科技(688825)：AI算力重塑存储需求 国产DRAM巨擘龙跃云津

国产DRAM 原厂龙头，景气、产能、产品迭代共振驱动成长。长鑫科技成立于 2016 年，是国内规模最大、技术领先、布局完善的 DRAM 研发制造一体化企业，专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产与销售。公司采用 “跳代研发” 技术路线，先后实现第一代至第四代（约 16nm 级 G4）工艺平台量产，完成 DDR4、LPDDR4X 向 DDR5、LPDDR5/5X 的产品迭代全覆盖，核心产品与工艺技术达到国际先进水平。依据 Omdia 数据，结合出货量及销售额口径，公司为国内第一、全球第四大 DRAM 厂商，以 2026 年一季度营收测算全球市占率约 8%。公司于合肥、北京布局合计 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆产线，产能扩张持续推进。

AI 驱动海量数据需求爆发，DRAM 市场上行周期确立。DRAM 为主流易失性半导体存储器，市场规模占全球存储市场近六成，广泛应用于服务器、移动终端、PC、智能汽车等领域，2024 年四大下游领域合计贡献全球 DRAM 需求约 90%。伴随 AI 产业需求快速爆发，服务器与高性能计算对内存容量、带宽要求持续抬升；2025 年下半年起 DRAM 供需格局持续优化，合约价格显著回暖，行业上行周期逐步确立。2026 年海外原厂资本开支优先投向HBM，传统 DRAM 新增产能投放有限，供给结构向高端产品倾斜，持续支撑存储价格景气。全球行业形成三星、SK 海力士、美光三足鼎立格局，国产存储厂商迎来难得的发展窗口期。

全球DRAM 市场份额持续提升，自研技术体系推动工艺代际加速追赶。公司采取跨越式工艺路线，跳过部分中间节点，从 18nm 级 G3 工艺直接推进至16nm 级 G4 工艺；当前制程与三星、SK 海力士、美光海外龙头存在约三年差距。专利布局持续提速，2023 年国际专利公开量全球第 22 位，2024 年美国专利授权量全球第 42 位、国内企业排名第四。公司产品呈现主流领先、高端追赶格局：DDR5 实现大规模量产并批量商用，LPDDR5/5X 最高速率可达10667Mbps，性能跻身全球第一梯队，主流存储产品优势持续巩固；但 HBM等高阶产品领域，相较国际龙头仍存在阶段性差距。伴随DDR5 产品持续放量，公司收入结构持续优化，2025 年 DDR 系列营收占比提升至 31.87%，同比提高 18.61 个百分点，增长主要受益于服务器等高价值下游需求拉动。展望未来，行业存储涨价周期延续叠加公司产能持续扩张、高端产品加速迭代，公司份额与盈利结构有望持续双击改善，成长确定性进一步强化。

投资建议：长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM 研发设计制造一体化企业，产品覆盖DDR、LPDDR 两大主流系列，按2025Q4 销售额口径全球市场份额7.67%、位列全球第四、中国第一。公司正处于国产替代、AI 算力扩张与存储周期上行三重共振阶段，随着DDR5 等高端产品放量、产能爬坡与规模效应释放，业绩增长空间有望持续打开。我们预计公司26–28年实现归母净利润1565.94/2440.18/3153.37 亿元，参考可比公司估值并考虑到公司稀缺性以及国产替代空间给予27 年20x PE，目标价72.97 元，首次覆盖给予"强推"评级。