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报告摘要
长鑫是国内最大、全球第四大DRAM 原厂。
长鑫科技2016 年成立,是国家级战略项目,目前已是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM 原厂,目前全球第四,全球营收份额增至7.7%。
1)产品丰富:产品包括DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X 等,目前已达国际先进水平。
2)产能持续拓展:目前在合肥、北京两地共拥有3 座12 英寸DRAM 晶圆厂,预计2026 年全部达产、第四代工艺技术平台销量占比也将快速提升。另外持续建设合肥肥西测试基地新产线,新建上海DRAM 及HBM 产线。
3)客户资源优质:与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo 等国内核心终端客户深度合作。
4)国资背景深厚:目前清辉集电、长鑫集成、国家大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有长鑫22%、12%、9%、8%、8%股权。
AI 驱动DRAM 需求爆发,长鑫引领大陆自制浪潮。
1)AI 驱动需求,服务器的爆发式需求是主驱力,DRAM 中来自服务器的需求占比有望从2024 年的38%提升至2026 年的50%~60%。AI 推理驱动存储需求指数级爆发,AI 推理大幅提升Token 消耗量,使KV Cache 多层缓存(HBM+DRAM+SSD)成为“标配”。
2)竞争格局:2026Q1 三星、海力士和美光三大原厂合计营收份额90%,海外寡头常年高度垄断,主要系DRAM 的技术壁垒、资金壁垒极高,DRAM 制造工艺复杂、制程微缩难度大,因此研发投入大、制造成本高。
3)长鑫引领国产化:中国DRAM 市场需求规模预计约占全球的34%,根据长鑫营收份额计算,26Q1 国产化率约23%。据Trendforce,2026Q1 长鑫份额营收提升至7.7%,三大原厂营收份额90%,未来DRAM 市场国产替代空间广阔,长鑫引领浪潮。
DRAM 价格持续暴涨,长鑫26 年盈利爆发。
1)26 年存储涨价大周期延续:本轮存储涨价大周期于25Q2 开始,25Q4、26Q1 涨价幅度持续超预期,预计26 年DRAM 供需仍持续紧张,价格有望继续上涨。
2)受益涨价,长鑫的单季度扭亏为盈,26H1 业绩爆发式增长:长鑫26Q1 营收508亿元,净利润330.1 亿元,归母净利润247.6 亿元,扣非263.4 亿元。预计26H1 收入1100-1200 亿元,yoy+613%~+677%;净利润为660~750 亿元,yoy+1715%~+1935%;归母净利润为500~570 亿元, yoy+2244%~+2544% ; 扣非为520~580 亿元,yoy+2279%~+2530%。
风险提示:行业需求不及预期;存储涨价不及预期;产能布局不及预期;研报使用的信息滞后;行业规模测算偏差风险。猜你喜欢
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