拉普拉斯(688726)：合同负债环比增长 看好半导体第二成长曲线

XBC 电池设备核心供应商，合同负债环比增长。XBC 和TOPCon 对部分设备的要求会有一定差异，例如：XBC 没有正表面栅线所以对色差要求更严格，对氮化硅层镀膜设备提出了更高要求；XBC 电池背面结构更加复杂、制备难度更高，因此对镀膜、扩散等设备也提出了更高的要求，其中LPCVD满足XBC 电池片隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的制备工艺需求，并凭借镀膜均匀性好、致密度高、产能大等优势成为XBC 电池片隧穿氧化层和掺杂多晶硅层制备的主流技术选择。公司目前作为已量产XBC 电池片产线的热制程、镀膜设备的核心供应商，获得下游主流客户的认可。26Q1 末公司合同负债35.03 亿元，实现环比增长。

股权激励彰显信心，开辟战略创新业务新增长点。公司推出2026 年限制性股票激励计划，并完成激励对象首次授予。首次授予部分考核年度为2026~2029 四个会计年度，并设置营业收入增长率、净利润增长率、战略创新业务新签订单金额三个考核指标。其中营业收入增长率考核目标为，以2023~2025 年营业收入平均值为基数，2026~2029 年分别不低于10%、15%、25%、35%。净利润增长率考核目标为，以2023~2025 年净利润平均值为技术，2026~2029 年分别不低于10%、15%、25%、35%。战略创新业务新签订单金额考核目标为，2027~2029 年分别不低于2、4、6 亿元。“战略创新业务新签订单金额”为非晶硅光伏业务的新签订单额（含税金额），包括DEMO 订单。非晶硅光伏业务包括但不限于钙钛矿、半导体（含分立器件、集成电路、先进封装等）、科学仪器等战略创新业务。

先进封装电镀设备进入β机验证阶段，有望成为第二成长曲线。公司依托泛半导体领域的技术积累与工艺经验，积极向半导体领域延伸，重点布局分立器件设备、集成电路先进封装工艺设备。在分立器件设备领域，公司持续推动氧化、退火、镀膜设备等一系列半导体分立器件设备的开发与优化，获得了行业主流客户的SiC 基半导体器件用超高温退火炉等核心工艺设备批量化订单。在集成电路先进封装设备领域，公司目前在研先进封装所需的电镀设备（电化学沉积设备），可兼容8-12 英寸晶圆，支持铜、镍、金、锡银、镍铁等多类金属电镀，可应用于先进封装的TSV、微凸块、RDL等电镀工艺。2026 年上半年，公司先进封装电镀设备已完成α 机验证（公司内部验证原型机），目前已进入β 机验证阶段。

投资建议：受光伏行业增速放缓、产能持续出清影响，下调公司2026 年归母净利润预测至6.62 亿元，并预计27、28 年规模净利润分别为7.67、8.43 亿元，对应PE 分别为27.07、23.35、21.25X。考虑到公司26Q1 末合同负债环比增长，股权激励彰显对未来增长信心；半导体电镀设备进入β机验证阶段，有望成为公司第二成长曲线，维持“持有”评级。